根據(jù)結(jié)構(gòu)，二極管可以分為PN結(jié)二極管和金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管，它們被稱(chēng)為肖特基二極管（SBD）。此外，根據(jù)用途可分為三種：通用（整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管）、高速使用（SBD、FRD和HED）和指定用途（齊納二極管、變?nèi)荻O管和PIN二極管）。

　　二極管電氣特性表中術(shù)語(yǔ)的定義

　　正向電流(IF)計(jì)算如下：

　　IF=IS(exp(qVF/KT)?1)

　　IS：反向飽和電流

　　T： 絕對(duì)溫度

　　VF：正向電壓

　　K： 玻爾茲曼常數(shù)

　　q： 電荷

　　上述方程僅適用于小電流區(qū)域。

　　流過(guò)二極管的反向偏置電流稱(chēng)為反向電流(IR)或飽和電流(is)。

　　通常，飽和區(qū)硅二極管的反向電流(IR)為幾毫安(10?9A)。當(dāng)溫度從8°C變化到10°C時(shí)，IR幾乎增加了一倍。

　　總電容表示為CT。CT主要?dú)w因于p-n二極管的反向偏置形成的耗盡層。耗盡層的寬度隨著反向電壓(VR)的增加而增加。下圖顯示了CT?vs?VR曲線。總電容隨反向電壓的增加而減小。通常，總電容和CT?VR斜率在很大程度上取決于結(jié)面積和摻雜濃度。

　　在正向?qū)ㄖ螅词故┘臃聪蚱茫O管也無(wú)法實(shí)現(xiàn)其阻斷能力。大的反向電流(IR)流動(dòng)，直到p-n結(jié)中的所有少數(shù)載流子耗盡，這些載流子在反向方向上形成低阻抗路徑。當(dāng)偏置電壓突然從正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，p-n結(jié)恢復(fù)到最大10%IR所需的時(shí)間稱(chēng)為反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。它表示二極管的開(kāi)關(guān)速度。